NEO 半导体宣布将推出全球首款 3D DRAM 原型，解决 DRAM 容量瓶颈。

3D DRAM 用到的是 3D X-DRAM 技术，原理与 3D NAND Flash 类似，通过堆叠层数提高容量。

NEO 承诺 2025 年将推出第一代 3D X-DRAM 产品，首代产品就有 230 层堆叠，核心容量 128GB。

(资料图片仅供参考)

更夸张的是，到 2035 年，NEO 将推出 1TB 容量的 3D X-DRAM，较现在 DRAM 容量提升达 64 倍。

NEO 表示，未来内存大小不仅可以从 TB 为单位起步，甚至能追上 3D NAND Flash 的发展。

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